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聚酰亚胺(PI)薄膜由于其优异的电气绝缘性能广泛应用于电机绝缘、微电子及航空航天等领域。随着科学技术的不断发展,电气技术向高压和超高压化、微电子技术向小型化,以及变频节能等技术的发展,传统的聚酰亚胺薄膜很难达到要求,这就促使聚酰亚胺薄膜向高性能及功能化方向发展。本文以均苯四甲酸二酐(PMDA)和4,4-二氨基二苯醚(ODA)为合成单体,以N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)为溶剂,以气相Al_2O_3作为掺杂相,制备了一系列掺杂量不同的PI/纳米Al_2O_3三层复合薄膜,并对制得的复合薄膜进行了耐电