【摘 要】
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本文描述了一个基于0.5μm GaAs PHEMT工艺的多波段射频开关芯片的设计实例。该开关为单刀九掷(SP9T),可应用于无线通信用户终端收发机前端,能够同时兼容第二代移动通信系统(
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本文描述了一个基于0.5μm GaAs PHEMT工艺的多波段射频开关芯片的设计实例。该开关为单刀九掷(SP9T),可应用于无线通信用户终端收发机前端,能够同时兼容第二代移动通信系统(2G)的GSM网络和第三代移动通信系统(3G)的TD-SCDMA网络以及UMTS网络共七个通信波段的通讯要求。在芯片的设计中引用了一种升压驱动电路,将晶体管导通态的控制电压从3V提高到了7V以上,极大地改善了该射频开关的线性度。流片后的测试结果所有通路的含PCB板插入损耗不大于1.2 dB,通路之间的隔离度不小于40 dB,在最高功率(35dBm)信号输入下的谐波抑制比大于66 dBc,完全可以满足系统协议的要求。
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