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随着分子束外延(MBE)技术和纳机电系统加工技术的快速发展,各种新型的超晶格量子阱器件被加工出来。因尺度变小而产生的各种效应(包括量子效应)就会凸现出来,基于这些效应的纳机电器件会体现出新的特征和性能。本文研究了基于GaAs超晶格半导体薄膜结构的“介观压阻效应”的加速度传感器的研究:在力学信号作用下,共振隧穿异质结(RTH)的内部应力分布发生变化;一定条件下应力变化引起内建电场的产生;内建电场将导致共振隧穿异质结中的量子能级发生变化;量子能级变化会引起共振隧穿电流的产生,通过上述四个物理过程可以将一