本文分析了结型半导体桥的起爆规律及作用机理,讨论了结型半导体桥电爆性能的影响因素,根据结型半导体桥的结构特点,设计了一种封装结构。研究了结型半导体桥的静电射频防护效果及规律,主要得到以下结论：(1)结型半导体桥的击穿电压决定于N型硅衬底的掺杂浓度,掺杂浓度越低击穿电压越高；而结型半导体桥的寄生电阻、静态电阻、电容等参数除受掺杂浓度的影响外,还受芯片尺寸和电极尺寸的影响。(2)电容放电作用下,击穿电压10V左右高掺杂浓度结型半导体桥不会发火,击穿电压为35V、150V左右的中、低掺杂浓度可以发火,击穿电压越高,发火效果越好。(3)正向电极尺寸一定时,芯片尺寸越大,桥区能量越不容易集中,不利于结型半导体桥发火；电极尺寸可以影响反向偏置PN结的实际作用面积,实际作用面积越大,激发越难；放电电容增大相当于储能增加有利于结型半导体桥发火。(4)结型半导体桥的起爆过程可分为三个阶段：①PN结的反向击穿；②结区的能量积累；③等离子体的产生。结型半导体桥点火需同时满足两个条件：①外加电压大于PN结的反向击穿电压；②结区有足够的能量积累。通过原子发射光谱测量系统验证了结型半导体桥发火阶段等离子体的存在。(5)研究表明结型半导体桥具有良好的静电防护能力,分析认为静电作用下,结型半导体桥发生击穿,但由于电容放电时间常数τ比较小,放电作用时间短,击穿瞬间结型半导体桥由高阻变为低阻,结区能量大部分被泄放掉,放电能量不足以损坏结区。经静电放电后,结型半导体桥可正常发火。(6)结型半导体桥具有良好的射频防护能力,通过减小寄生电阻,改善芯片与环境的热交换能力可以进一步增强结型半导体桥的射频防护效果。