工业的快速发展带来了大量污染物,这严重威胁着生态系统,故迫切需要寻找一种无污染修复环境的技术。而半导体光催化技术因其高效、便利、可重复使用等优点为修复环境带来了曙光,逐渐成为半导体材料的研究热点。在众多半导体材料中,BiOBr因其可见光吸收能力较强、稳定性较高等优点在光催化领域引起了广泛研究。然而BiOBr材料光生载流子分离率较低,为解决该问题,选择化学稳定性较高、禁带宽度较为合适的SnS2材料与BiOBr材料进行复合,采用原位沉淀法制备SnS2/BiOBr复合材料。首先通过正交实验和极差分析,系统的研究了原位沉淀法制备单一BiOBr材料对其光催化性能的影响,并对其进行了相关表征,确定了制备BiOBr材料的工艺参数:前驱液p H值为7、反应时间为3 h、反应温度为100℃。同时通过单因素实验,系统的研究了水热法制备单一SnS2材料对其光催化性能的影响,并对其进行了相关表征,确定了制备SnS2材料的工艺参数:反应温度为180℃、反应时间12 h。在单一材料优化工艺基础上,通过正交实验、极差分析、单因素实验的方法系统研究了原位沉淀法合成SnS2/BiOBr复合材料的制备工艺。以20 min光催化降解罗丹明B溶液（Rh B溶液）的降解效率为标准,研究了SnS2/BiOBr复合材料的光催化性能,并对工艺进行优化。优化后工艺参数:反应温度为120℃、SnS2:Bi摩尔比为0.2、反应时间3 h、前驱液p H值为5。进而对优化工艺条件下制备的SnS2/BiOBr复合材料进行XRD、XPS、RAMAN、SEM、TEM、BET等结构和形貌表征,并通过PL、UV-Vis DRS对其进行了光学表征。研究了优化工艺下SnS2/BiOBr复合材料的光催化性能,包括对其它污染物的降解、对Rh B溶液的稳定性,并通过自由基捕获实验对其进行了机理分析。光催化结果表明相比BiOBr材料,SnS2/BiOBr复合材料的降解效率明显提高。经过20 min的光照,对Rh B溶液的降解效率可达89.1%。这归因于将SnS2堆叠在BiOBr表面形成SnS2/BiOBr复合材料后,增强了BiOBr的光响应范围、提高了比表面积。