钛酸钡陶瓷是具有钙钛矿结构的铁电材料中最常用的一种,以其优良的铁电性能、良好的压电性能、高介电常数、低介电损耗以及耐高压性能等特点,广泛应用在军事、原子能、航空航天、金属、石油化工、日常家电等各关系领域。采用烧结工艺制得的钛酸钡陶瓷基片,表面不平整且尺寸也不符合要求,同时钛酸钡陶瓷是软脆材料,加工困难且成本较高。研磨抛光是改善钛酸钡陶瓷表面质量和达到尺寸要求的有效方法,无破碎损耗的高效加工是关键。因此本文选择钛酸钡陶瓷基片作为研究对象,探讨其材料去除机理、研抛加工表面形成过程以及研磨抛光工艺。本文主要进行了以下几方面的研究工作,分析了钛酸钡陶瓷基片双面研磨的加工机理及材料去除形式推导出UNIPOL-160D双面研磨抛光机中单颗磨粒相对工件的运动轨迹方程,并用Matlab程序进行了单颗磨粒运动轨迹仿真,分析了各因素对轨迹形态的影响；然后在单颗磨粒轨迹仿真的基础上进行了多颗粒磨粒共同作用时的运动轨迹仿真,分析了研磨盘转速、研磨时间、磨料分布对轨迹和研磨效果的影响。采用Nano Indenter G200纳米压入式系统对钛酸钡陶瓷基片进行了纳米压痕实验,测得其弹性模量E、硬度H、断裂韧性Kc等力学性能参数,并用Bifano模型计算得到钛酸钡陶瓷基片脆塑性转换的临界切深。进行了钛酸钡陶瓷基片双面研磨抛光工艺实验的研究,系统分析了磨料种类、磨料粒径、研磨压力、研磨盘转速、研磨液流量、研磨液浓度等工艺参数对基片研磨效果的影响。通过优选工艺参数,得到了一套高效的钛酸钡陶瓷基片双面研磨工艺。同时对研磨后的基片进行了双面抛光,得到了表面粗糙度Ra6nm的超光滑表面。