随着工业的不断发展,工业排放物中有机染料造成的水体污染已经严重威胁到人类的生存。近年来,半导体光催化因具有节能环保、无毒无害以及无二次污染物产生等优点而受到广泛关注,被认为是解决这一问题最具优势的手段之一。本文设计了一系列MOF基复合材料,旨在得到效率高、催化性能好、可实际应用的新型可见光驱动催化剂,具体研究内容与成果如下:（1）以UiO-66为基质,通过水热法在UiO-66表面生长In₂S₃纳米颗粒得到了In₂S₃/UiO-66复合材料。实验发现,相比于纯In₂S₃和UiO-66,In₂S₃/UiO-66展示出了增强的光催化性能,且当In₂S₃与UiO-66的质量比为40%时,In₂S₃/UiO-66的光催化能力最强,催化效率分别是In₂S₃和UiO-66的9.5倍和65倍,在经过5次循环使用后,降解率只有5%的损失。此外,对光催化增强现象做出了合理的解释,同时提出了In₂S₃/UiO-66降解MO的光催化机理。（2）通过水热法制备了rGO/In₂S₃/UiO-66三元复合材料,GO在水热过程中被还原成rGO,同时与In₂S₃/UiO-66复合。实验结果显示rGO/In₂S₃/UiO-66的光催化性能要优于In₂S₃/UiO-66,循环使用5次后,降解率只减少了5.8%。此外,解释了rGO/In₂S₃/UiO-66光催化性能增强的原因以及提出了对MO的合理的光催化降解机理。（3）通过两步制备CISU三元复合材料,第一步,将CQDs溶液加入到UiO-66前驱体溶液中,通过一锅法制备CQDs/UiO-66;第二步,通过水热法在CQDs/UiO-66表面负载In₂S₂纳米颗粒,从而获得CISU三元复合材料。相对于In₂S₃/UiO-66,CQDs/In₂S₃/UiO-66的光催化性能更加优异,且5次循环使用后,降解率损失仅为5.6%。此外,解释了CQDs/In₂S₃/UiO-66光催化性能增强的原因以及提出了对MO的光催化降解机理。