1.47μm是半导体激光器的一个常见的波长,它最初主要被应用于光通信领域,后来进一步拓展到了安全技术领域、医疗、通信、生物工程、光谱分析等方面。本文主要对1.47μm半导体激光器在材料和器件结构方面进行了研究以及模拟。本文对InGaAsP/InP材料系进行了讨论研究,并且通过应变量子阱理论还有器件结构理论,得到合适的应变量和阱宽、垒宽、量子阱数目等合理的激光器参数。根据材料阈值、温度特性、电学特性等,进而设计了激光器的腔长、SCH结构、以及波导层等,得到我们所需的激光器结构。半导体激光器对温度变化很敏感,因而温度特性对半导体激光器来说是一个很重要的性质。我们通过模拟软件Lastip对本文设计的激光器进行了与温度相关模拟分析。模拟分析了温度对激光器电流密度、阈值电流、功率以及波长等的影响。为了进一步提高器件的温度特性,本文又设计了TI结构的激光器并和前面设计的激光进行了细致的对比。通过一系列的模拟分析看到本文的结构还是比较理想的,尤其是TI结构的激光器在温度特性上有很大的提高。