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微测辐射热计是基于MEMS技术的第三代非制冷型红外探测器,在民用领域和军事领域内都有非常广泛的应用前景,其中红外敏感薄膜材料是微测辐射热计的基础组成部分。TCR参数是红外敏感薄膜材料热学参数中的重要指标,它直接决定了该薄膜材料是否适于制作微测辐射热计像元,而且与像元的响应度,噪声等效温差等性能参数有关,能够影响到微测辐射热计的性能优劣。对TCR参数的测试,一方面可以评估微桥式结构的硅锗/硅多量子阱薄膜材料样片的热学性能,另一方面测试结果可以为改进硅锗／硅多量子阱薄膜材料制备工艺提供指导。本文基于硅锗/硅多量子阱像元阵列的工作原理,热学结构和材料特性,完成了硅锗/硅多量子阱红外敏感薄膜材料实验测试系统的设计制作,用于测试真空封装条件下硅锗/硅多量子阱薄膜材料微桥式结构样片的TCR参数,并分析计算了该薄膜材料样片的热容与热导,评估了薄膜材料样片的热学性能。论文首先立足于微测辐射热计工作原理的分析,建立了脉冲电流驱动下微桥式结构硅锗/硅多量子阱敏感像元的数学模型,进行了实验测试系统总体设计方案的论证。其次,依据系统总体设计方案,设计制作了实验测试系统电路,其包括：像元阵列驱动电路,像元阵列数据采集电路和LabVIEW数据处理程序。像元阵列驱动电路负责提供硅锗/硅多量子阱像元阵列的脉冲驱动电流；像元阵列数据采集电路包括像元信号调理电路,ADC电路,FPGA主控制器和USB2.0通信控制器电路等部分,其中以FPGA为控制核心,负责实验测试系统整体的时序控制；LabVIEW数据处理程序包括实验测试系统中USB2.0通信设备的驱动程序,以及硅锗／硅多量子阱薄膜材料样片数据采集与处理程序。本文最后开展了实验测试工作。首先对硅锗／硅多量子阱实验测试系统进行了性能评估,实验测试系统的TCR测量精度为1%,满足TCR参数测试要求；其次对真空封装条件下的薄膜材料样片进行了TCR参数测试,薄膜材料样片TCR平均值达到2.24%/℃,然后对薄膜材料样片热导和热容进行了分析计算,评估了薄膜材料样片的热学性能。