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铋系半导体是一种重要的光催化材料，但是单一的铋系半导体光催化材料量子效率不高，而且容易发生光生电子-空穴复合，从而限制了铋系光催化材料的应用范围。为了解决这一问题，本文通过合成复合铋系半导体材料，来提高其光催化活性。主要研究内容包括以下几个方面：以Na2WO4·2H2O和Bi(NO3)3·5H2O为原料，采用机械球磨和煅烧两步制备出复合Bi2O3/Bi2WO6纳米复合物。通过X-射线衍射分析、紫外-可见漫反射光谱对Bi2O3/Bi2WO6进行表征。通过改变实验条件，研究了各种反应因素（如球磨时间，煅烧时间，Bi2O3负载量）对合成产物组成的影响。光催化性能测试结果表明：合成的Bi2O3/Bi2WO6在可见光的照射下对罗丹明B有很好的降解效果，光照2h后其对罗丹明B可以达到98%的降解率。以NH4VO3和Bi(NO3)3·5H2O为原料，采用机械球磨和煅烧两步法制备Bi2O3/BiVO4纳米复合物。通过X-射线衍射仪、紫外-可见漫反射光谱对产物进行表征。考察了球磨时间对复合物组成的影响。光催化性能测试结果表明：合成的Bi2O3/BiVO4在可见光的照射下2h对MO的降解率可达85%。以商品Bi(OH)3和NH4VO3为原料，通过简单的热溶剂法制得Bi(OH)3/BiVO4复合物。借助X-射线衍射仪、扫描电镜和紫外-可见漫反射光谱对所得的样品进行表征。考察了纳米复合物中Bi(OH)3和BiVO4的不同比例对复合物光催化活性的影响，结果表明4Bi(OH)3/BiVO4复合物的催化活性最好。以Na2WO4·2H2O和Bi(NO3)3·5H2O为原料，通过控制HNO3的加入量和反应温度，制得H2WO4/Bi2WO6纳米复合物。借助X-射线衍射仪、透射电镜对所得样品进行表征。通过改变实验条件，考察了酸的加入量和反应温度对合成复合物组成的影响。光催化性能测试结果表明：合成的H2WO4/Bi2WO6在可见光的照射下对MO有很好的降解效果，并且明显高于单一的H2WO4和Bi2WO6。