本论文采用提拉法系统生长了四种不同[Li]/[Nb]比(0.94，1.05，1.20,1.38)的Ce(0.1mass﹪)：Mn(0.015mass﹪)：LiNbO3晶体和三种不同掺铟量(1，2，3mol﹪)的In：Ce(0.1mass﹪)：Mn(0.015mass﹪)：LiNbO3晶体并对其进行了氧化还原处理。 测试了铈锰系列铌酸锂晶体的体全息存储性能，包括衍射效率、响应时间、擦除时间等，发现晶体中的[Li]/[Nb]比和掺铟量的变化以及晶体的氧化还原状态都影响晶体的体全息存储性能。 通过选择适当的掺杂离子、掺杂浓度以及晶体中的[Li]/[Nb]，可以调节晶体的体全息存储性能，进而获得性能优良的体全息存储晶体材料。