费米能级EF在半导体材料科学中是一个非常重要的物理参数。是半导体中能级是否被填充的依据, E F以下的能级基本上是被电子填满的,在E F以上,则几乎没有电子填充。在一定温度下,电子在各个量子态上的统计分布由费米能级的位置决定。知道了费米能级,对确定材料的输运特性、导电性是非常重要的,特别是对半导体而言,费米能级更为重要。目前有很多求解费米能级的方法,但是这些方法中有的不够精确,有的不能适用于所有半导体。在本文中,作者尝试了精确的求解费米积分,利用电中性条件,结合费米统计下的电子和空穴浓度计算式,推导出了当施主和受主同时存在时,一般情况下的电中性方程,再利用复式Simpson法计算费米积分,利用QBASIC程序,通过二分法来求解电中性方程,计算出费米能级,作出不同情况下EF—T关系图。并已有文献进行了比较,对程序的正确性进行了检验。最后,对混合掺杂n型和p型半导体的载流子浓度随温度的变化规律进行了简单的讨论。