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从低频段到毫米波频段,RF MEMS器件具有体积小、紧凑且方便集成的特点。MEMS工艺相比传统工艺手段提供了精确度为μm级加工,有利于实现高性能的毫米波器件。传输线是微波射频系统中最基本的元件,直接影响整个系统的性能指标。在MEMS技术的帮助下,针对传统传输线结构在高频段性能恶化严重的问题,人们提出了多种新型结构如提升式、重叠式等共面波导结构。这些新型结构在一定程度上改善了传输线的微波性能如特性阻抗变化范围、插损等,但各个结构也具有各自的缺点如集成、加工难度大以及应用范围有限等,因此在本论文中针对另一种新型传输线-薄膜支撑空腔型微屏蔽传输线进行分析,得到微屏蔽传输线的传输特性以及利用其设计滤波器结构、移相单元。本文的主要内容为：1.提出微屏蔽传输线的物理结构,分析传输线的信号传输模式,利用保角变换法分析传输线的传输特性(如特性阻抗、相对介电常数等)。与CPW传输线相比较,研究分析微屏蔽传输线的插损和色散特性。同时在微屏蔽传输线结构加入上屏蔽腔体,分析整个屏蔽腔对传输线辐射损耗的影响。最后对微屏蔽传输线结构中的物理参数进行分析,得到传输线物理参数对传输线性能的影响。2.分析传输线的不连续结构的电气分布参数模型,利用传输线的耦合线结构设计低通滤波器和带通滤波器结构。设计了25GHz的高低阻抗低通滤波器,通带内的插损小于0.5dB,阻带抑制-12.5dB@5GHz;同时设计了两个45GHz的宽带带通滤波器,带宽50%,带内插损小于1dB；针对微屏蔽传输线结构设计了传输线的MEMS加工流程。3.针对开关线型移相器结构尺寸大的难题,提出了改良型微屏蔽传输线结构。利用微屏蔽传输线设计了45°的移相单元,通过仿真紧凑型移相单元实现了中心频率为30GHz的49°移相,插损在1dB以内。4.为了方便微屏蔽传输线测试以及与集成电路集成,本论文中设计了微屏蔽传输线与WR10矩形波导之间转换结构,分析转换结构传输模式的改变,仿真结果显示在整个W波段转换结构具有2dB以内的插损。同时研究分析了微屏蔽传输线与共面波导之间的过渡,分析了交接处电场的不连续性突变和高次模态的激励。