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石墨烯由于具有独特的二维结构特征,因而表现出奇异的力学性能、电学性能及热力学性能,有望在纳米电子器件方面、传感器方面、复合材料方面和储能方面得到广泛的应用。尤其是由于它绝佳的电子性能,决定了石墨烯有可能替代半导体块体硅材料成为新一代纳米电子器件的基础材料。但是由于石墨烯是一种半金属材料,带隙宽度为零,直接应用于纳米尺度电子器件或电子电路中的范围非常有限,所以如何有效地控制其电子结构是应用中最重要的一环。研究发现,通过对石墨烯进行氮(硼)的替位掺杂可以获得n(p)-石墨烯半导体,并可以通过改变其掺杂浓