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本文第一章首先简单介绍了功率电子学的发展和SPIC的有关背景知识。智能功率集成电路SPIC（Smart Power IC）是一种将功率器件与低压逻辑控制电路集成及相关的驱动保护电路集成在一块芯片上的智能化控制芯片。SPIC可广泛应用于电子镇流器、马达驱动、功率电源、汽车电子等领域。SPIC广泛的应用前景也被有关专家称为“第二次电子革命”。第二章介绍了LDMOS的发展进程，着重叙述了自1979年以来相继出现的各种LDMOS，最后介绍陈星弼发明的可以用于LDMOS耐压层的优化横向变掺杂理论（OPT-VLD）。第三章介绍SPIC的三种常见隔离技术和本次工作中的创新型隔离技术，并给出了模拟结果进行分析。第四章简介了利用优化横向变掺杂理论制造的用于SPIC中的一种新型LDMOS功率器件。该功率器件是一种图腾柱结构的高低侧复合管，该复合管能实现最短距离内的最大耐压，是平行平面结的90%以上；该功率器件工艺上与CMOS、BiCMOS技术兼容；该复合管还应用了一种创新型的隔离技术，用来隔离低侧管和高侧管；并给出了I～V特性，耐压特性，开关特性等模拟结果。第五章介绍了整个工作中利用的器件模拟软件MEDICI。第六章给出了对该图腾柱结构的复合管未来的展望。模拟结果表明，该功率器件复合管耐压在400伏以上，高低侧管之间能够良好隔离。初步实验结果表明，在我国工艺线上可以实现该复合管。该复合管的低侧管耐压425伏，Ron =0.1Ω.cm2,ton＝30ns，toff＝140ns,等效电阻6欧姆，实际工作电流为0.35安培，静态功耗为0.74瓦。该复合管的高侧管耐压445伏，Ron=0.4Ω.cm2,ton＝30ns，toff＝140ns,等效电阻8欧姆，实际工作电流为0.35安培，静态功耗为0.98瓦。把该功率器件集成在SPIC的内部，使SPIC的效率更高、性能更好、成本更低。