本文重点研究了一种轴向取代酞菁材料:酞菁钛二氯(Ti Cl2Pc),在已报道的文献中未见其应用于TFT器件,因此本文将Ti Cl2Pc作为有源层材料应用到有机薄膜晶体管器件的制备当中。同时针对在制备Ti Cl2Pc OTFT时存在的有源层与绝缘层界面缺陷多而导致晶体管迁移率下降的问题,通过对有源层与绝缘层的界面进行有机硅烷试剂修饰和弱外延生长的方法来改善有机薄膜的生长行为,进而提高有机薄膜的质量以及OTFT器件的电学性能。首先研究了有机硅烷试剂修饰对Ti Cl2Pc OTFT器件性能与薄膜形貌的影响:采用十八烷基三氯硅烷(OTS)试剂对Si O2绝缘层表面进行了修饰,对修饰后的Ti Cl2Pc OTFT与未被修饰的Ti Cl2Pc OTFT进行了I-V特性测试以及原子力形貌表征测试。实验结果表明经OTS修饰后的Ti Cl2Pc OTFT器件性能明显提升。并且经OTS修饰后的Ti Cl2Pc薄膜与未经修饰的Ti Cl2Pc薄膜相比,薄膜表面更为平整连续,表面缺陷更少,晶粒尺寸更大,更有利于载流子的产生与传输。其次研究了弱外延生长对Ti Cl2Pc OTFT器件性能与薄膜形貌的影响:采用有机小分子材料BP2T作为诱导层,使用真空沉积技术在Si O2绝缘层表面分别沉积了4nm、6nm以及8nm的BP2T薄膜,并对Ti Cl2Pc OTFT进行了I-V特性测试以及原子力形貌表征测试。实验结果表明,经BP2T修饰后的三组器件与未修饰的器件相比性能提升,其中当BP2T厚度为8nm时的器件载流子迁移率最高。三组在BP2T上生长的Ti Cl2Pc薄膜与单层Ti Cl2Pc薄膜相比,薄膜表面更为平整光滑,晶粒尺寸更大,表面缺陷更少。其中在8nm BP2T诱导层上生长的Ti Cl2Pc薄膜最为平整连续,生长的晶粒尺寸最大,表面缺陷最少,最有利于载流子的产生与传输。最后对酞菁钛二氯的p型传输特性产生原因进行了详细的研究。通过对分子能级和分子内原子电荷电量分布的分析,研究了取代基(轴向配体、中心金属)对Ti Cl2Pc载流子传输特性的影响。用CHI660D电化学工作站测定了酞菁化合物的最低未占据分子轨道能级(LUMO)。采用Thermo ESCALAB 250 X射线光电子能谱仪对一系列酞菁化合物的原子电荷电量分布进行了X射线光电子能谱分析(XPS)。研究结果表明,轴向配体和中心金属的电负性共同影响着分子的LUMO能级以及分子内原子电荷电量分布,因此使得Ti Cl2Pc显示出p型传输特性。