【摘 要】
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ZnO作为一种在光电器件方面很有应用潜力的半导体材料,得到了科研人员越来越广泛的关注,近些年来随着对该材料的研究的不断深入进展,ZnO基一维纳米结构和合金化逐渐成为研究
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ZnO作为一种在光电器件方面很有应用潜力的半导体材料,得到了科研人员越来越广泛的关注,近些年来随着对该材料的研究的不断深入进展,ZnO基一维纳米结构和合金化逐渐成为研究热点,一维结构的纳米材料能够提供更为优良的导电性能和晶体结构,而合金化通过其他金属,并且控制加入的金属含量,就可以对材料的带宽进行调节,从而控制光电器件的发光波长,使材料的应用范围更为广泛。本文主要采用化学气相沉积方法(CVD),以气-液-固(VLS)和气-固(VS)为生长机制,在高温下,以原子层沉积方法(ALD)生长ZnO薄膜的Si片作为衬底,成功生长ZnO纳米线,并对生长控制和成核机理进行了系统的模拟和讨论之后,分别以Mg粉和GeO2为掺杂源,制备了Zn1-xMgxO合金纳米线和Zn1-xGexO合金纳米线,并通过SEM、 XRD、 EDS、PL等手段对材料进行了形貌、晶格结构和光学性质的表征,研究了合金材料的生长机理,对生长条件对材料的形貌和晶格结构的影响进行了讨论,同时根据ZnO基与不同元素的合金化生长后对其发光性能的影响,研究了合金化对其能带结构产生的变化和其潜在应用。
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