【摘 要】
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该文先从MSM-PD光电二极管的发展状况入手,探讨了该器件的结构特点,基本的光学和电学性质.为了能在厦门大学物理系现有的实验条件下制备出用于光纤通信的MSM-PD光电探测器,探
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该文先从MSM-PD光电二极管的发展状况入手,探讨了该器件的结构特点,基本的光学和电学性质.为了能在厦门大学物理系现有的实验条件下制备出用于光纤通信的MSM-PD光电探测器,探索了以下几个方面的工作:1.根据光通信的要求和该实验室的现有条件,进行了版图的设计.2.为了实现2-3微米精度的栅状电极的光刻,对该器件电极的"剥离工艺"进行了探讨.3.研究了MSM-PD的光谱响应、暗电流、I-V特性等.对器件的光谱响应进行了拟合计算,从而得出了光吸收层厚度、指宽、指距等材料参数,所得参数与实际相吻合.4.在条件成熟后,将以此为基础,进一步研究Si、InGaAsMSM器件.
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