半导体发光二极管中的负电容现象

来源 :天津大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xy59573928
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
随着发光二极管已经越来越广泛地应用于光通讯、显示、照明和指示等领域,对其特性的研究也显得越来越重要.对新的发光器件的特性研究往往更侧重于发光特性和直流电学特性(I-V),而对交流特性的研究则少有报道.该文首先对发光材料和发光二极管的研究进展进行了一般性考察,接着简要讨论了发光二极管的一些特性.最后采用交流小信号正向导纳测试方法对发光二极管的正向交流电特性进行了测量和分析.
其他文献
在该论文中,我们采用反应性挤出熔融接枝对等规聚丙烯进行马来酸酐接枝.详细地表征了聚丙烯接枝前后的流动性、接枝率、熔融与结晶性能、结晶形态、热失重及动态力学性能等.
因具有优良的光电性质和广阔的应用前景,II-VI族半导体材料 CdS一直受到人们的极大关注。未掺杂的CdS为 n型半导体,其电导率较低,实验发现,适当的IIIA元素(B、Al、Ga、In)的掺杂可
该论文采用X 射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、差热分析仪(DTA)和振动样品磁强计(VSM)等实验手段,系统地研究了利用水冷铜模吸铸法制备FeCoZrMoWB系列铁基大块非晶合金的结