以非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide,a-IGZO)为有源层材料的薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)近年来因其优良的特性而广受关注。抬高金属型金属氧化物(Elevated-Metal Metal-Oxide,EMMO)TFT是一种通过氧气退火从而形成源/漏区域的a-IGZO TFT。本文系统地研究了 EMMO TFT在不同的栅压(VG)、温度(T)和光强(I)的正栅压及光照应力下的可靠性。本文总结分析了退化规律和机制,并提出了一个能够统一地解释正偏压应力(Positive Bias Stress,PBS)和正偏压光照应力(Positive Bias Illumination Stress,PBIS)不稳定性的退化模型。首先,本文研究了 EMMO TFT在PBS下的退化。研究发现,在PBS下,存在与传统a-IGZO TFT不同的退化行为:阈值电压(Vth)持续负漂,开态电流(Ion)增加,并且在亚阈值区出现了驼峰(hump)。其次,本文研究了 EMMO TFT在PBIS下的退化。研究发现,和PBS下的退化类似,PBIS下也存在Vth持续负漂,Ion增加,并且在亚阈值区出现hump。注意到,PBS和PBIS下退化量和应力时间,VG以及T的依赖关系几乎相同,此外,二者的应力后的恢复特性也表现出极大的相似性。这些结果都表明,EMMO TFT在PBS和PBIS下的退化应该存在内在联系且内在机制是相统一的。最后,本文提出了一个统一的退化模型来解释EMMO TFT在PBS和PBIS下的退化行为。在提出的统一退化模型中,在沟道/钝化层界面处积累的正电荷二价离化氧空位(Vo2+)是引起器件负漂的主要原因。