钨酸铋基/ACF光催化剂的制备及氧化甲苯的性能研究

来源 :中国石油大学(华东) | 被引量 : 0次 | 上传用户:jy02191348
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当今社会,环境污染已经成为制约社会发展和进步的严重障碍,尤其是大气中难以处理的VOCs的处理更是人们亟待解决的问题。近年来,传统的生化处理法和化学处理法已经不能满足当今时代社会发展的需要,而光催化技术具有清洁、无二次污染、可以利用太阳能等优点受到广大研究者的重视。传统的半导体光催化材料的代表——TiO2由于具有较宽的禁带(约为3.2 e V),且其量子效率过于低,限制了其在光催化领域的发展及应用。因此,研究出具有高活性,宽光谱光响应的半导体材料是当前光催化领域的主要方向。本文围绕钨酸铋展开,首先采用制备了Bi2WO6前驱体溶液,并以此为基础,制备了一系列Bi OI/Bi2WO6、TiO2/Bi2WO6及C3N4/Bi2WO6半导体复合光催化剂,通过多次浸渍法将制备好的粉末状光催化剂均匀负载到活性炭纤维毡(ACF)上。利用XRD、SEM、TEM、XPS、BET、UV-Vis及光电流响应等技术对样品进行表征分析,以气相甲苯模拟VOCs作为目标污染物,利用自制的光催化反应仪考察了催化剂的光催化性能,并探讨了催化剂的反应机理,研究结果表明:采用水热法制备的C3N4/Bi2WO6复合样品均为斜方晶体结构,C3N4交互附着在Bi2WO6片层结构的周围,两者紧密接触形成异质结构。合成的C3N4/Bi2WO6材料具有比单体Bi2WO6/ACF的更大的比表面积和较低的禁带宽度,能有效抑制光生电子和空穴的复合,更容易被光照激发。当甲苯浓度为500mg/m~3左右、光照强度为24W时,40%mol C3N4/Bi2WO6/ACF对气相甲苯去除效果最好,去除率可达58.1%,是单体Bi2WO6的1.83倍。采用水热法制备的TiO2/Bi2WO6具有典型的异质结构,TiO2负载于Bi2WO6片层结构的表面,两者紧密结合并且没有破坏彼此的物相晶型,且复合光催化剂在ACF表面分散均匀,较Bi2WO6/ACF的比表面积大很多。相比于单体Bi2WO6,TiO2/Bi2WO6具有良好的可见光响应吸收性能。模拟VOCs活性考察,当甲苯浓度为550mg/m~3左右、光照强度为24W时,30%mol TiO2/Bi2WO6/ACF对气相甲苯去除效果最好,去除率可达50.37%,是单体Bi2WO6的1.6倍。当甲苯浓度为350mg/m~3左右、光照强度为24W时,20%mol Bi OI/Bi2WO6/ACF对气相甲苯去除效果最好,去除率可达76.33%,是单体Bi2WO6的2.4倍。采用一步水热法制得的样品没有改变Bi2WO6的主体物相,两者复合仍形成正交晶系晶体结构,Bi OI分散于Bi2WO6表面,二者充分接触,Bi OI良好的导电性增加了复合光催化材料的活性位点数量,促进了光生载流子的分离。
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