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金属氧化物半导体材料是太阳能转换的重要材料之一。铜的氧化物中,氧化亚铜(Cu_20)和氧化铜(CuO)通常为p型半导体,禁带宽度Eg分别为1.9～2.2 eV和1.2 eV。因此他们都能吸收可见光,可作为可见光光催化材料,以充分利用丰富且清洁的太阳能分解水制氢。本论文研究了恒电流阳极氧化黄铜制备铜氧化物薄膜的过程及其光电性能影响因素。利用X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和激光拉曼光谱仪(Raman)等对薄膜的形貌、结构和表面成分进行分析表征,并综合表征结