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氧化镓(Ga_2O_3)作为一种新型半导体材料,尤其,单斜晶系的β-Ga_2O_3是一种直接宽禁带的氧化物半导体,在室温下光学禁带宽度为4.5-4.9 e V,对应波长250-275 nm,具有高熔点、高热导率、高临界击穿电压等特性,因此,引起了半导体光电子材料研究领域越来越多的关注,在功率电子器件、LED、日盲深紫外探测器等领域具有广泛的研究价值和应用潜力。关于日盲深紫外光电探测半导体,目前主要有AlGaN、AlZnO、ZnMgO、金刚石、β-Ga_2O_3等。比较而言,Ga_2O_3作为一种二元