海森堡自旋链接中的热纠缠及其在量子信息中的应用

来源 :新疆师范大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:storm369
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
众所周知,量子力学中最具吸引力的性质是量子纠缠。近年来,人们对量子纠缠进行了广泛的研究,因为它在量子信息处理过程中扮演着重要的角色,如量子稠密编码、量子隐形传态和量子密钥分配等。固体系统备受人们青睐,因为它具有潜在的应用价值和在量子通信与信息处理过程中的易集成性和可扩展性。尤其是自旋链,被认为是实现纠缠的最佳候选体系。在量子信息处理过程中,与其它物理体系相比,自旋链体系具有很大的优势。其中最简单的海森堡自旋链被用来构造量子计算机,能实现量子计算机的物理体系有许多,诸如量子点、核自旋、电子自旋和光晶格等。此外,通过适当地编码,仅仅海森堡相互作用就足以实现任何量子计算逻辑电路。由于海森堡自旋链这些吸引人的性质,在量子信息学中,海森堡自旋链体系得到了普遍关注。   论文一共分为五章。第一、二章介绍量子信息论的发展概况以及关于量子纠缠的一些基本知识。第三章主要研究在考虑均匀外磁场和Dzyaloshinskii-Moriya(DM)相互作用的情况下,三比特海森堡 XXZ自旋环中的热纠缠,并且给出了热纠缠的解析表达式,从表达式可以看出热纠缠依赖于各向异性参数 Jz、外磁场 B、DM相互作用参数 D以及温度 T。结果表明在提高临界温度和纠缠区域方面,DM相互作用参数比其它参数作用更大。文章还计算了参数取不同值情况下的基态纠缠并给出了发生量子相变的临界点的表达式。这些结果表明,通过适当地组合这些可调参数可以产生和提高纠缠度,从而实现纠缠的有效控制。第四章研究不同的 DM相互作用(Dz和 Dx)和磁场对最优稠密编码的作用,使用的量子信道是两比特海森堡 XXZ自旋链中的热平衡态。结果表明各向同性参数 J、异性参数Δ和 DM相互作用参数对最优稠密编码起正面作用,而磁场起破坏作用。此外,一般情况下,在实现最优稠密编码方面,反铁磁体(AFM)比铁磁体(FM)更理想。在 AFM中,通过比较 Dz和Dx取相同固定的值,给出了在不同Δ取值范围内更合适的模型。另外还比较了Dz和 Dx对最优稠密编码的作用的差别,阐明它们起主要作用的取值区域。第五章主要研究不同均匀外磁场和DM相互作用对两比特海森堡XXZ自旋链中的热纠缠的作用,以及对以此链中的热平衡态为信道传送单比特量子态和两比特量子纠缠的作用。结果表明 DM相互作用对热纠缠起正面作用,但是对单比特量子态和两比特量子纠缠的传送起负面作用。此外,只有 AFM适合于传送单比特量子态,而 AFM和 FM都可以传送两比特量子纠缠。另外还比较了取相同值的Dz和 Dx对隐形传态的作用。
其他文献
热电材料是可以将热能转化成电能的材料,在温差发热和制冷上被广泛应用。理论研究和实验探究均表明降低材料维度可以有效提高材料热电转化效率。碲化铋基化合物是目前室温下性能最好的热电材料。本文采用高真空热蒸发镀膜法,以高纯碲化铋粉末为蒸发源,在衬底380℃蒸发源360℃镀膜反应5min即可制备出尺寸较大且均匀的碲化铋拓扑绝缘体纳米薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、高分辨率透射电子显
单粒子系统的物理性质及其量子操控一直是物理学家关注的焦点,并已取得了很大的进展。近年来,原子囚禁和冷却技术的发展为多体相互作用系统的研究提供了实验基础。光格中超冷
在非平衡系统中,凝聚是一个极为引人入胜的现象。在存在相互作用的粒子系统中,大量粒子可能聚集于一个节点上。之前关于凝聚的研究都是基于正规晶格上的,而真实的网络一般是无标
随着社会的进步和工业的发展,环境问题日益严重,已经引起了各国政府高度重视,目前解决这一问题最有效的途径是利用光催化技术降解对环境有害的有机污染物。半导体作为催化剂以其优异的性能引起了广泛的关注。TiO2是目前应用最广泛的一种半导体光催化剂,它是一种间接带隙半导体,具有较低的电子跃迁几率,作为光催化剂降解有机物的过程中反应速率较低。ZnO是直接带隙半导体,因此ZnO比TiO2有更高的量子效率;而且Z
化学机械抛光(CMP)加工应用广泛,由于游离磨粒的加工特点,使得加工中材料去除量极其微小,可以获得很好的表面粗糙度。但与固结磨粒加工方式相比,CMP工艺可控性较差,同时基于压力的
聚电解质多层微囊由于其渗透性对环境敏感,近年来许多人研究将其应用于可控药物缓释的可能性。原子力显微镜可以测量材料表面纳米微区的静态、动态力学性质,用原子力显微镜研究
β-FeSi_2是一种新型的半导体材料,它在发光、光电、热电等方面都具有优异的性能,可用于制作薄膜发光器件、薄膜太阳能电池、热电器件、磁性半导体器件等。β-FeSi_2有很高的光电转化效率,理论上,β-FeSi_2的光电转换效率可以达到16%-23%,其转化效率仅次于晶体硅。另外,β-FeSi_2具有0.85 eV的直接带隙,其发光波长为1.5μm,发光对应的特征区域正是硅的全透明区,也是光纤通信