无线通信技术是当前发展最迅速、最具活力的技术领域之一，在这个领域中,各种新技术、新方法层出不穷。其中,超宽带(Ultra-Wide Band，UWB)技术是在20世纪90年代以后发展起来的一种具有巨大发展潜力的新型无线通信技术。目前超宽带技术以其高速率、低功耗等特性正受到通信学术界和产业界的重视,并将获得日益广泛的应用。因此,研究并提高超宽带射频通信电路性能,对无线通信的发展具有重要的科学意义和现实意义。　　 本文论述了超宽带无线通信系统、超宽带低噪声放大器电路设计、射频集成电路版图设计相关知识，并提出了一种超宽带低噪声放大器设计。文章第2章主要介绍了超宽带技术，并且对超宽带射频通信电路的发展做了总结概述。接下来在文章第3章，作者总结分析了CMOS低噪声窄带、超宽带放大器的电路结构以及国内外研究动态。在此基础上，文章在第4章提出了一种低电压、低功耗3.1-10.6GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计。设计是基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺。在完成了电路分析和原理图仿真之后，作者在第5章对射频集成电路的版图设计进行了一定的阐述,并总结了版图设计过程中一些有用的经验、方法。通过结合应用这些经验、方法，作者完成了该放大器的版图设计，并提取了寄生参数、得到了后仿(Post–layout Simulation)实验结果。结果表明，本文所提出的放大器设计电路在0.85V的低电源电压下仍获得较高的、平坦的增益（S21=14±0.4 dB）和低噪声(Nfmin=3.2dB)，并且电路增益连续可调。输入、输出阻抗匹配良好，S11、S22均低于-10dB。放大器的直流功耗约为10 mW。从实验结果来看，本文提出的CMOS超宽带低噪声放大器设计符合低电压、低功耗的设计要求，为实现超宽带低噪声放大器提供了一种选择方案。