与自旋相关的Fe|GaAs|Fe隧道结的隧穿磁电阻研究

来源 :四川师范大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jmyjmhcaihiong_11
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本文从第一性原理出发,用线性的muffin-tin轨道(LMTO)以及原子球近似(ASA)的方法,研究了Fe| GaAs| Fe<001>隧道结电流垂直于界面(CPP)的构型下自旋相关的隧穿磁电阻(TMR)性质.首先我们从量子力学的角度出发,采用了夏钶等人新发展的一套不依赖于可调参数的计算电子输运的程序包,来研究无序界面的电子输运,得到了与实验吻合得很好的结果.然后系统地研究了界面无序散射对TMR值的i影响.我们的研究发现:Fe|GaAs| Fe<001>隧道结的TMR值对于界面的无序散射相当敏感.考虑了界面无序散射的影响后,TMR计算结果和实验上测到的TMR值基本吻合.
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