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NAND闪存广泛应用于电子存储系统中。随着工艺尺寸的缩小和存储密度的增加,NAND闪存的误码情况愈加严重。高密度NAND闪存的误码率不断增高,主流的BCH码,变得不能满足NAND闪存的纠错要求。不断降低BCH码的码率以换取更好的性能,使得NAND闪存的有效容量不断减少。未来纠错码的设计需要在NAND闪存可靠性与存储容量间进行权衡,如何评价NAND闪存的纠错码成为一个问题。LDPC码的性能接近香农限,被认为是NAND闪存的下一代纠错码。LDPC码的译码需要软信息的提供才能获得优秀的性能,但目前从NAND闪存中提取软信息的难度大且代价高。针对上述问题,本文的研究工作主要包括以下方面。提出一种高密度NAND闪存纠错码的评价方法。针对目前仍然缺少合适的NAND闪存纠错码评价方法,提出无误码积分信息容量的概念,一个同时考虑NAND闪存有效存储容量和可靠性的评价方法。通过在不同的信道模型下,计算不同纠错码的无误码积分信息容量,对本文提出的评价方法进行验证和分析。结果表明,中高码率的纠错码可以获得容量和可靠性综合性能更好的NAND闪存。提出一种基于块级BCH码和LDPC码级联的NAND闪存纠错码架构。提出的纠错码架构中,块级BCH码用于从NAND闪存读出的硬判决信息中生成粗略的软信息,提供给LDPC码进行译码。提出的纠错码架构,解决了NAND闪存中软信息生成困难的问题,同时能够与目前NAND闪存常用的BCH码方案兼容。根据NAND闪存参数要求,设计了一个码率为0.92的纠错方案。仿真结果表明,尽管只能生成粗略的软信息给LDPC码,但对比同码率的BCH码,本文提出的纠错方案仍然具有两倍的性能优势。最后,对比码率为0.85的BCH码,本文提出的纠错码架构具有更高的无误码积分信息容量。