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碳化硅材料有大禁带宽度、高临界击穿电场、高热导率和高载流子饱和漂移速度等优良特点,能满足更恶劣环境的需求,使其在高温、高频、大功率和抗辐照等领域的应用更加广泛。4H-SiC MOSFET器件功率大且开关损耗低,正逐步应用于光伏发电、新能源汽车以及机车牵引等新兴领域。本文基于Silvaco平台的Atlas软件对高压4H-SiC MOSFET器件进行了仿真优化设计,并对流片得到的样品进行了测试分析。本论文首先对1700V SiC MOSFET器件的Pbase区掺杂分布、栅氧化层厚度、沟道区长度以及JFET区宽度对器件各电学参数的影响进行了仿真工作和优化设计,得到了击穿电压为3000V,阈值电压为2.9V的SiC MOSFET器件元胞结构。接下来对器件的终端结构进行了优化设计,包括场板终端结构和场限环终端结构。在场板终端结构中,主要开展了场板长度以及氧化层厚度对击穿电压和电场分布影响的研究;对于场限环终端结构,研究了场限环环间距和环宽对击穿电压的影响,包括均匀间距场限环终端结构和缓变间距场限环终端结构。其次,仿真研究了SiC MOSFET器件的开关特性,包括负载电流IL和栅串联电阻Rg对开关特性的影响。最后结合国内的SiC器件制造工艺平台,设计了相关的工艺流程并进行了流片实验研究和测试分析。SiC MOSFET封装器件的直流特性测试结果表明:器件击穿电压为2500V,导通电流为2.4A,器件阈值电压为2.3V。同时,对SiC MOSFET器件的动态特性也进行了测试分析,主要包括寄生电容、开关特性、栅电荷以及体二极管反向恢复特性等动态特性。本论文通过开展1700V SiC MOSFET器件的结构设计、流片实验以及静动态特性等研究工作,为国内高压SiC MOSFET器件的研制提供了参考和支撑。