本文主要利用紫外光刻法在多孔阳极氧化铝模板上复制掩模预设的图案。探索了影响模板图案化的条件。经过研究后发现,图案化直径为lcm的多空氧化铝模板最佳的光刻条件为：匀胶量为0.2ml,曝光时间为50s,显影时间为20s。并且,光刻的图案越小,对实验条件的要求越高,制备越困难；大小相同的,图案空隙越大,制备的图案越好。然后以图案化的多孔氧化铝模板为二次模板,采用熔融法和溶液法分别制备了不同聚合物的图案化的纳米管阵列,如PS,PMMA,EVA,PE等。在融掉模板与剩余光刻胶后,采用扫描电子显微镜对图案化聚合物纳米管进行了表征。结果表明,聚合物纳米管阵列的图案与掩模图案完全一致。刚性较大的聚合物较易形成图案化聚合物纳米管阵列,得到的纳米管直立性较好,不易发生倒坍。熔融法制备图案化聚合物纳米管受生长温度与反应时间的影响较大,而溶液法制备图案化聚合物纳米管受溶液浓度等条件影响。得到的PS与PMMA的图案化纳米管阵列较好。本文还对溶液法制备聚合物纳米管的机理进行了初步的研究。研究发现,溶液法制备聚合物纳米管长度与其溶液浓度有关,而溶液的粘度,表面张力与溶剂的挥发度等性质决定着一维聚合物的纳米结构。