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本项研究针对当前对于有毒、易燃、易爆等危险气体的探测越来越紧迫,而当下常用的气敏材料识别能力差,气敏性能低,自我修复能力差,制备工艺复杂等问题,提出利用磁控溅射法结合分子模板技术,通过优化制备工艺,结合化学原位修饰、真空退火、光刻等后处理工艺,在硅衬底上制备出具有空间立体结构、高的比表面积,与衬底黏附力强、结构稳定的具有不同化学剂量比的掺Cu或掺In半导体纳米多孔WO_3薄膜。这类材料具有较强的气敏性质,对多种有害气体如:NO_x、SO_x在较宽(ppm量级)浓度范围内有较强和快速识别能力。