在模/数转换器、数/模转换器、动态存储器、Flash存储器等集成电路设计中,低温度系数、低压低功耗、高电源抑制比的基准源设计是十分关键的。随着深亚微米集成电路技术的不断发展,集成电路的电源电压越来越低,研究基于标准CMOS工艺的低压低功耗基准源设计是十分必要的。由于带隙基准源能够实现高电源抑制比和低温度系数,是目前各种基准电压源电路中性能最佳的基准源电路。因此本文主要工作是设计一个低压低功耗的CMOS带隙基准电压源。本文首先研究了传统带隙基准源电路的结构,并对一阶温度补偿和二阶温度补偿结构原理进行了分析和比较。然后进一步研究了几种低压带隙基准电压源电路的主要工作原理。在对各种低压带隙基准源分析比较的基础上,本文采用二阶温度补偿和电流反馈技术,设计实现了一种基于衬底驱动技术和电阻分压技术的超低压CMOS带隙基准电压源。采用衬底驱动超低压运算放大器作为基准源的负反馈,使其输出用于产生自身的电流源偏置,其电源抑制比(PSRR)为-63.8dB。基于TSMC 0.25um CMOS工艺,采用Hspice仿真,在0.9V电源下,输出基准电压为572.45mV,温度系数为13.3ppm/oC。结果表明,电路达到了设计要求,具备良好的性能指标。