随着光纤通信技术和微电子技术的飞速发展，光电集成的研究成为当今世界前沿研究的热点。而其中关键的一环，就是要研制出一种能满足光互联技术要求的实用光源。硅是微电子技术的主要材料，但由于其为一种间接带隙的半导体材料，在发光方面具有先天的不足。目前已经发展了多种硅基光发射技术，如多孔硅、纳米硅、锗硅等技术，取得了许多重要的进展。但是，这些技术都采取了复杂的工艺手段，与当前微电子超大规模集成电路(VLSI)的成熟工艺不兼容，限制了芯片内部光互联的实现。由于硅发光器件结构简单、与标准CMOS工艺兼容等特点，得到了许多研究者的注意，在发光机理研究、器件结构设计和制备方面取得了很大的进展。　　 文在与标准COMS工艺兼容的硅基光发射器件方面进行了广泛而深入的研究，通过测试Chartered公司0.35μm dg(双栅)标准CMOS工艺进行流片制造的不同结构器件，对实验结果进行总结，分析了结构对器件特性的影响。在此基础上，采用0.35μm标准CMOS EEPROM工艺进行了器件结构的改进设计，尝试了一批新的结构设计例如圆形器件、尖端注入型器件等并进行流片。并且通过理论和实际测试分析了工艺对器件特性的影响。重点对栅压控制结构、三端器件进行了测试和分析，明确了栅的控制机理，并且发现了三端器件明显的控制效果。