随着半导体尺寸不断减小的技术要求,13.5 nm的极紫外(EUV)光源备受瞩目,成为了下一代的光刻光源。EUV光源有望将节点缩短至10 nm以下,理论上,在达到10 nm节点是甚至不需要采用两次图形曝光技术(Double patterning,DP)技术。然而,要想其能真正产业化,我们需要解决减少粒子碎屑对收集镜面造成的影响以及增加EUV转换效率两个关键问题。等离子体物理特性的研究对于脉冲激光作用靶材产生的EUV光源转换效率的提高以及粒子碎屑产量的降低有重要意义。本论文主要从等离子体羽辉与辐射光谱两方面研究了等离子体粒子内部特性,主要内容如下:(1)基于直接成像法拍摄了Nd:YAG激光诱导锡等离子体羽辉膨胀图像,研究在不同激光能量条件下,不同的缓冲气体以及不同压强对等离子体边界粒子动能、碰撞截面和减缓效率的影响。(2)使用光谱法对Nd:YAG激光诱导锡等离子体发射光谱进行测量与记录,并利用波尔兹曼作图法和斯塔克展宽分别计算了等离子体电子温度和密度,比较了不同激光能量以及不同压强条件下的等离子体电子温度和密度。(3)对Nd:YAG与CO2脉冲激发Sn产生的等离子体特性进行比较。研究了在相同激光能量密度条件下,等离子体粒子动能、减缓效率、碰撞截面的变化;以及相同的激光能量条件下,等离子体电子温度与电子密度的变化。