本文主要研究了四元铁磁半导体(Ga，Mn)(As，Sb)薄膜的生长制备、磁输运和磁各向异性等方面。　　首先，利用低温分子束外延(LT-MBE)技术制备得到不同Sb含量的高晶体质量的(Ga，Mn)(As，Sb)薄膜样品，并给出了名义Mn含量的估算数值。通过SQUID测量给出了退火组和未退火组的(Ga，Mn)(As，Sb)薄膜的磁滞回线，证明了四元铁磁半导体(Ga，Mn)(As，Sb)存在铁磁性，并计算出有效Mn含量xeff，残余磁矩Mr与温度T关系曲线给出了样品的铁磁转变温度Tc，xeff和Tc随Sb含量σ的变化曲线表明xeff和Tc具有相同的变化趋势，都是先增大后减小。这与早期的研究结果一致。然后，通过(Ga，Mn)(As，Sb)薄膜的霍尔测试，研究不同Sb含量对(Ga, Mn)(As，Sb)薄膜各向异性的影响，在(Ga，Mn)As的各向异性磁阻的基础之上，添加了交叉项之后使得磁阻方程的拟合曲线和实验曲线很好的拟合，说明相对于(Ga, Mn)As来说(Ga，Mn)(As，Sb)交叉项是不能被忽略的。由于Sb的并入破坏了(Ga，Mn)As晶体的对称性，使得各向异性系数发生了变化，并随着Sb并入的增加，(Ga，Mn)(As，Sb)的各向异性系数趋近于0，各向异性特征逐渐消失。