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我们用固态反应法合成了不同淬火温度的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)系列样品，以及稀土元素替代的RBa2Cu3O7-δ(RBCO)系列样品；利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对系列样品的结构和表面形貌进行了分析，结果显示样品有良好的品质；并利用正电子湮没、“光掺杂”等实验手段，对样品进行了系统的研究。
对不同淬火温度的YBCO样品，测量了光辐照前后的正电子湮没谱，发现正电子的长、短寿命和平均寿命随光照时间的增加先缩短，然后逐渐增加。测试了样品临界温度与光照时间的关系，其临界温度均有所提高，并利用光致电荷转移模型，进行了分析和讨论。认为Cu-O链层的氧空位可以看做是光激发的电子的陷阱，它可将电子俘获。俘获的电子产生晶格畸变，形成空穴复合的能量势垒，该势垒阻止电子与空穴的重新复合，结果空穴被转移到CuO2面上，导致CuO2面上的载流子的浓度增加，提高了电导率。
利用正电子湮没技术对稀土元素替代的RBCO系列样品，进行了系统的研究，对镧系收缩效应与超导电性的关系进行深入的讨论。得出结论，正电子湮没谱参数随替代稀土离子半径的改变，一方面改变了电子的分布状态，使得费密面的能态密度增加，另一方面半径较大的离子替代有利于使Cu-O层之间的耦合更加优化，从而提高了临界温度。