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石墨烯的发现和大规模的制备以及应用,打开了人们对于二维材料领域的研究思路。其中过渡金属硫属化合物(TMDCs)最为受到研究者的关注。与石墨烯相比,单层过渡金属硫属化合物,如MoS_2、MoSe_2、WS_2和WSe_2都是直接带隙半导体,填补了石墨烯带隙为零的缺点。单层TMDCs薄膜是直接带隙半导体材料,单层到多层TMDCs材料的禁带宽度变化范围为1.1~2.1eV,其禁带宽度根据层数的变化可调,硅材料的禁带宽度为1.1eV。由于其具有优异的电学与光学性能,同时这类材料具备半导体特性,从而使得过渡金