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Flash存储器具有存储密度高、结构简单和高速电可擦除性等优点,是当今极具发展前景的非挥发性存储器件。二十年来,闪存的研究不断朝着低压、低功耗和高密度、高可靠性的的方向发展。而单管多位存储方式的提出,大大提高了SONOS结构器件的存储效率,有效的降低了器件的工作电压,进而增强了器件的可靠性。 本文首次将单管多位技术应用于MNOS器件,提出以双层结构氮化硅作为阻挡层的MNOS结构取代传统的SONOS介质结构。通过对器件单元结构、操作模式、擦写特性、读取特性和可靠性等方面的研究,利用仿真软件确定了单管多位MNOS存储器的结构参数和工作参数。研究表明,MNOS结构器件在沟道长度为0.3μm的情况下基本能够达到SONOS结构器件的性能指标,从而为Flash存储器件的发展提供了一种新的选择。