【摘 要】
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在硅衬底上生长GaN取得了极大进展的基础上,本文创新性地提出了一种制备自支撑GaN衬底的新方法,即首先利用MOCVD,通过插入层和缓冲层技术在硅衬底上生长2μm的无微裂GaN薄膜;
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在硅衬底上生长GaN取得了极大进展的基础上,本文创新性地提出了一种制备自支撑GaN衬底的新方法,即首先利用MOCVD,通过插入层和缓冲层技术在硅衬底上生长2μm的无微裂GaN薄膜;然后通过化学腐蚀的方法去除硅衬底,得到应力释放的GaN薄膜;最后在此薄膜上利用HVPE生长20-100μm的厚GaN薄膜,形成自支撑GaN衬底。设计和加工了一套剥离GaN薄膜的夹具,并对2μm厚的GaN薄膜成功的剥离,尺寸为10×10mm。利用XRD对剥离前后的GaN薄膜进行了测试,发现剥离后的GaN(0002)面摇摆曲线的FWHM有所下降。计算了剥离之后的C轴晶格参数,和标准晶格常数接近,说明剥离之后应力有所释放,基本处于完全松弛状态。利用HVPE,在粘贴到石英衬底上的GaN膜上进行了自支撑GaN生长。
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