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为了实现集成电路的电磁兼容标准化建模,论文提出了一种16-bit微控制器在射频干扰下采用直接功率注入(Direct Power Injection, DPI)测试方法的传导抗扰度改进模型。与已有模型相比,改进模型的无源分配网络(Passive Distribution Network, PDN)模块增加了内核网络、锁相环(Phase-Lock-Loop, PLL)和A/D网络模型,使PDN模块能更精确的反映出微控制器内部电能分配情况。改进PDN模块的参数由S参数测量提取,通过1Ω/150Ω法、横电磁波传输(Transverse Electromagnetic Mode, TEM)小室法、近场扫描法对电磁发射的测量和仿真结果进行对比,证明了改进PDN模块在电磁发射方面的有效性。将改进PDN模块应用于电磁抗扰度模型,通过与测试结果对比,证明该模型有效性达到500MHz,预测抗扰度的不确定度为+2dB,在可接受范围内。为了提高模型在高频区的仿真精度,论文考虑了微控制器内部阻抗随外部噪声频率的动态、非线性变化因素,对上述模型I/O端口模块进行二次改进。通过与测量结果对比,证明二次改进模型的有效性可达1.4GHz,仿真不确定度为±1.8dB。与目前国际上该微控制器最先进的同类模型相比,该模型适用频率更广,仿真不确定度范围更小。另外,改进模型的PDN模块结合电磁发射测试平台模型,还可以预测电磁传导发射和电磁辐射发射特性。该建模方法可以扩展应用于其它芯片,并且所建立模型能直接应用于印刷电路板(Printed circuit board, PCB)级别的电磁兼容仿真,这对集成电路电磁兼容模型标准化研究极具参考价值。最后,论文总结了若干改善微控制器电磁抗扰性能的措施,为集成电路电磁兼容工程师提供设计指导。