近几年来,在许多类似MS/MOS(金属-半导体结和金属-氧化物-半导体结)的样品中发现了较大的横向光伏效应(Lateral Photovoltaic Effect),这一效应目前可被应用于精确位置传感器,并已展开了广泛深入的研究。但是,目前的研究基本局限于无机材料这一体系。鉴于目前有机半导体材料在有机电致发光和有机太阳能电池等领域的应用,我们拟将有机半导体引入传统的MS/MOS结构中,来探索新的横向光伏薄膜器件,并研究其内在机制。本文主要工作概述如下：一、Si/SiO2/Al结构中的横向光伏效应我们制备了不同厚度Al的Si/SiO2/Al结构,在其中观察到横向光伏效应,并进一步研究了Al层厚度与横向光伏效应的关系,发现随着Al层厚度的降低,横向光伏效应相应增加,最后,对这一现象进行了理论解释和拟合。二、基于Si衬底的金属有机半导体颗粒膜的横向光伏效应我们在Si衬底上制备了一系列Al-Alq3、Co-Alq3以及Al-TPD复合颗粒膜,在其中观察到明显的横向光伏效应。我们发现,随着金属组分的降低,其横向光伏效应随之增强,且在金属组分为0.3左右达到极值；随着氧化层厚度的增加,其横向光伏效应随之减小；此外,衬底的掺杂浓度也对横向光伏效应有一定的影响。对于上述现象,我们进行了初步的理论解释。