发光二极管（LEDs）的研究和开发引起人们极大的关注,因其功耗小、效率高、寿命长、响应快、显色性好等显著优点,被誉为是21世纪新一代的绿色照明光源。其中,蓝色LED芯片和黄色荧光粉组合的荧光转换型白光LED,因其封装工艺简单、封装技术成熟、生产成本低等特点而备受关注,成为目前白光LED照明的主流。随着Ga N半导体芯片的发光向短波长发展,紫外LED芯片和三色/多色荧光粉组合的策略可获得更高质量照明,因此开发能够被近紫外（350-410 nm）LED芯片高效激发的新型荧光材料,已成为目前面临的最重要、具有挑战的任务之一。与稀土离子相比,Bi3+在近紫外区域（350-410 nm）具有较宽的吸收带,且在可见光区域几乎没有吸收,可以避免重吸收问题。本论文选取Bi3+掺杂的硼/钨酸盐为研究对象,进行新型Bi3+发光材料的制备以及发光性质的研究。主要内容如下:（1）采用高温固相法制备了两种用于近紫外（350-410 nm）芯片激发的蓝色荧光粉Na2Y2B2O7:Bi3+和Sr3Y（BO3）3:Bi3+,并详细研究了其发光性能。材料具有良好的热稳定性,420 K时,发射强度高达室温下发光强度的76.47%,79.99%,使用蓝光荧光粉Na2Y2B2O7:Bi3+和Sr3Y（BO3）3:Bi3+与近紫外LED芯片组合,封装成具有高显色指数和低色温的白光LED器件。（2）合成一种可用于近紫外/蓝光（300-550 nm）芯片的高发光效率自激活红色荧光粉Na La Mg WO6:Bi3+,并对其发光性能、发光机理进行了详细研究。采用Bi3+离子作为敏化剂,通过VO43-→Bi3+能量转移的设计策略,增强了Bi3+深红光（698 nm）的发射,使内量子效率（IQEs）从56.3%提高到64.8%。同时在高温420 K下,Na La Mg WO6:Bi3+荧光粉的发射强度是室温的72%,具有良好的热稳定性。（3）研究了一种超宽带（FWHM=217 nm）发射白色荧光粉Ba2Zn WO6:Bi3+的发光性质。该材料在350-400 nm范围内具有高效吸收,在400-800 nm范围具有超宽发射。此外,将荧光粉和近紫外LED芯片（365 nm,100 m A）封装,获得了一种色温为3326 K的白光LED器件,说明Ba2Zn WO6:Bi3+白色荧光粉在暖白光LEDs中有潜在的应用前景（4）设计制备了单一离子掺杂白光发射硼磷酸盐荧光粉Na2Y2（BO3）1.5（PO4）0.5O:Bi3+,并研究了其发发光性能。研究发现:近紫外激发下,Na2Y2（BO3）2-x（PO4）xO:0.005Bi3+荧光粉中可产生蓝色（415 nm）和橙色（590 nm）的两种光,实现了单一离子激发白光发射的理念。此外,将荧光粉和370 nm InGaN芯片封装获得一种白光发射LED器件。实验结果表明,荧光粉Na2Y2（BO3）1.5（PO4）0.5O:Bi3+作为一种适合紫外芯片激发的白光发射荧光粉具有潜在的应用前景。