应变SiGe技术通过在Si材料上生长SiGe改变材料原来的晶格结构，从而改变电子、空穴的迁移率和改进器件的能耗、频率。另一方面，SOI技术具有高速、无闩锁、低功耗、抗辐射和小型化等优点。因此，高性能应变SiGe技术和SOI技术成为现代器件研究重点。本文主要研究的是集电区折叠结构的SOISiGeHBT和其集电区模型。首先，分析了应变SiGe材料的基本物理属性，重点分析了晶格结构、能带分裂和临界厚度等，研究了Ge组分对SiGe材料性能的影响。并分析了SOI作为器件衬底的优势，为分析SOISiGeHBT提供了理论支持。其次，研究了SOISiGeHBT的工作原理，从其能带结构上分析了其与体硅双极性晶体管的不同，对其性能特别是交流特性进行了深入研究。在此基础上分析集电区折叠结构SOISiGeHBT，并运用ISE软件对其结构参数特别是集电区参数进行优化，并仿真分析了这个结构的性能。然后给出了集电区折叠结构SOISiGeHBT的工艺流程。最后，研究了集电区折叠结构SOISiGeHBT的集电区模型，建立了集电结纵、横空间电荷区和耗尽层电容的模型，分析了全耗尽和部分耗尽工作模式下器件的性能。本文所建立的集电区空间电荷区和耗尽层电容的模型对研究SOISiGeHBT有重要的意义。