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本文以加速寿命试验和失效分析为主要研究手段，对GaN LEDs器件退化机理进行了比较深入的研究，并对一些关键工艺提出了改进措施。主要内容包括：
研究了封装与器件可靠性的关系及封装造成的失效模式。
应用扫描电镜对过电应力(Electrical Overstress)造成的损伤进行了系统分析。
采用两步刻蚀法减小常规：ICP刻蚀工艺所带来的损伤，实验表明改进工艺后器件的正向电压降低，输出功率增大，长期可靠性得到提高。
研究了不同的电流扩展工艺对GaN LEDs器件的影响。通过红外热像仪测试说明带有环状n型电极的器件比常规器件有更好的性能。