【摘 要】
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掺杂量子点具有特殊的光学、电学以及磁学性质，已经在材料化学材料物理等领域成为了广大科研工作者的研究重点。尤其在光学性质方面，掺杂量子点不仅保留了本征量子点优异的发光性能，而且因其有较大的斯托克斯位移可以很好地避免自吸收而引起的自淬灭现象，同时还极大地提高了自身的热稳定性、化学稳定性以及更长的荧光寿命。掺杂量子点在生物标记、LED以及激光等方面具有广阔的应用前景，而引起了人们的广泛关注。本论文主要以
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掺杂量子点具有特殊的光学、电学以及磁学性质，已经在材料化学材料物理等领域成为了广大科研工作者的研究重点。尤其在光学性质方面，掺杂量子点不仅保留了本征量子点优异的发光性能，而且因其有较大的斯托克斯位移可以很好地避免自吸收而引起的自淬灭现象，同时还极大地提高了自身的热稳定性、化学稳定性以及更长的荧光寿命。掺杂量子点在生物标记、LED以及激光等方面具有广阔的应用前景，而引起了人们的广泛关注。本论文主要以Ⅱ～Ⅵ族半导体纳米晶作为铜、锰掺杂的宿主材料合成了多种发光性能优越的掺杂量子点，对掺杂量子点的制备及发光
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