本论文设计了一种电容式微机械(MEMS)体声波硅谐振器。分析了此谐振器的工作原理,并建立了其动力学模型和等效电路模型。利用ANSYS有限元分析软件对该谐振器进行了模态分析,仿真显示其谐振频率达108MHz,和理论值相符,且取决于硅材料特性和器件尺寸；针对提高品质因数Q,研究了其损耗机制,指出除了空气阻尼外,支撑损耗(也叫锚损)是其主要的损耗机制,并从振动模态和传输线模型角度出发,提出了减少支撑损耗提高Q值的可行性方法,包括将支撑梁放置在振动节点处、梁长度设置为弹性波长的1／4及在衬底端设置声波反射器；此外,研究了谐振电阻与直流偏置、品质因数及电容间隙之间的关系,分析表明在高品质因数、小电容间隙的条件下,此体硅谐振器的谐振电阻只有几百欧姆。其次,基于以上性能参数的设计,提出了基于SOI衬底制造该谐振器的工艺流程,并进行了版图设计。针对谐振器流片当中遇到的工艺问题,进行了分析和解决。最后,为了对谐振器电学测试有个预期和预知影响S21测试结果的因数,利用ADS(Advanced Design System)软件对体硅谐振器进行了电学仿真,并进行了实验平台的搭建。