本文主要研究固溶体半导体CdS<,l-x>Se<,x>纳米材料的制备及其光吸收性能。首先用溶剂热的方法，使用二氯化镉(CdCl<,2>·2.5H<,2>O)、硫粉(S)、硒粉(Se)为原料，用乙二胺作溶剂，在180℃的温和条件下，加热12小时，通过改变原料中硫、硒的组分，合成了固溶体半导体CdS<,l-x>Se<,x>(0≤x≤1)，产物用XRD来分析表征，并运用产物的X光电子能谱(XPS)确定产物各元素的组分，发现产物的组分和最初试剂的组分相一致。通过产物的TEM图和选区电子衍射图SAED，确定产物的形貌、尺寸，并通过产物的选区衍射图SAED，进一步确定产物的晶体结构。通过测得产物的XRD图，计算出不同组分的晶格常数α、c，研究α、c与x的关系，晶格常数α从CdS的0.41287nm变化到CdSe的0.42944nm，晶格常数c从CdS的0.66830nm变化到CdSe的0.70024nm，变化规律遵从Vegard定律。通过离心粒径选择，得到粒径均匀产物，测出产物的紫外．可见吸收谱线，考察纳米量级的紫外．可见吸收谱线的蓝移现象，并通过紫外一可见吸收谱线，计算出各组分产物的能带带隙，研究能带带隙与组分x之间关系，随着组分x的增大，产物能带隙减小，从CdS的2.56 eV变化到CdSe的1.76eV，结果表明通过控制固溶体半导体中的组分，能够实现对半导体能带隙的调制。