近年来,稀磁半导体因其在自旋电子器件领域中的广泛应用而受到关注。新型稀磁半导体突破了传统稀磁半导体自旋和电荷“捆绑”效应的束缚,为稀磁半导体的研究提供了新的思路。本论文在第一性原理基础上,系统分析了过渡金属元素种类、载流子类型、掺杂浓度、掺杂位置等对LiZnN基新型稀磁半导体电子结构和磁性的影响,并研究了 Li（Zn,TM）N新型稀磁半导体的铁磁性起源。本论文主要工作内容及结果总结如下:（1）分别研究了不同过渡金属（TM=V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni）掺杂LiZnN体系和TM/Li共掺杂LiZnN体系的电子结构和磁性。结果表明,对于TM掺杂LiZnN体系,V、Co、Ni掺杂LiZnN体系显示铁磁性稳定,而Cr、Mn、Fe掺杂LiZnN体系则表现为反铁磁性稳定。Li间隙原子的引入改变了 TM掺杂LiZnN体系的磁性。在TM/Li共掺杂LiZnN体系中,Cr/Li、Fe/Li、Co/Li共掺杂LiZnN体系为反铁磁性稳定,而V/Li、Mn/Li、Ni/Li共掺杂LiZnN体系的铁磁态为稳定基态。TM原子与N原子杂化耦合作用导致TM掺杂LiZnN体系和TM/Li共掺杂LiZnN体系产生铁磁性。TM/Li共掺杂LiZnN体系的稳定性高于TM掺杂LiZnN体系。（2）不同类型载流子调控Li（Zn,Mn）N体系的研究结果表明,Al3+、La3+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Li+、Na+、K+的引入更易取代体系中的Zn2+离子。引入三价阳离子（A13+、La3+）形成n型半导体材料,（Li,La）（Zn,Mn）N和Li（Zn,Mn,A1）N体系为反铁磁态稳定;相反,（Li,Al）（Zn,Mn）N和Li（Zn,Mn,La）N体系的稳定基态为铁磁态。对于二价阳离子Ca2+、Sr2+、Ba2+掺杂Li（Zn,Mn）N体系均为反铁磁结构,掺杂离子Ca2+替换Zn2+离子提高了 Li（Zn,Mn）N体系的结构稳定性。Li缺陷的引入增加了 Li（Zn,Mn）N体系的稳定性。对于n型半导体材料,Na间隙引入后Li（Zn,Mn）N体系表现为反铁磁性稳定,K间隙引入后Li（Zn,Mn）N体系为铁磁性稳定;对于p型半导体材料,Li（Zn,Mn,Na）N具有铁磁稳定结构,Li（Zn,Mn,K）N为反铁磁性稳定。（3）Li、Mn浓度的变化导致Li（Zn,Mn）N体系的电子结构和磁性发生改变。Li（Zn,Mn）N体系的结构稳定性随着Li、Mn浓度的升高而逐渐增强。体系中仅存在Mn掺杂时,不同Mn掺杂浓度下Li16（Zn16-xMnx）N16（x=1-8）体系均表现为反铁磁性稳定。当Li 间隙缺陷和 Mn 掺杂浓度分别为 6.25 at.%和 12.50 at.%时,Li17（Zn16-xMnx）N16（x=1-8）体系的稳定性从反铁磁性转变为铁磁性。（4）分别对Mn掺杂LiZnN体系和Mn/Li共掺杂LiZnN体系的电子结构和磁性进行了系统研究,分析对比了六种不同Mn-Mn原子对的掺杂位置组态。结果表明,Mn掺杂LiZnN体系和Mn/Li共掺杂LiZnN体系磁性不同,Mn掺杂LiZnN体系为反铁磁性稳定。由于Li间隙原子的加入,导致Mn/Li共掺杂LiZnN体系由反铁磁性稳定转变为铁磁性稳定。在Li（Zn,Mn）N体系中,中间媒介N原子与相邻两个Mn原子之间形成Mn-N-Mn链,电子相互转移,Mn-Mn原子对之间铁磁耦合作用导致Li（Zn,Mn）N体系产生铁磁性。