【摘 要】
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湿法腐蚀工艺是制作衍射微光学元件的一个重要方法。该方法基于硅的特定晶向特性,利用微电子加工工艺在硅基片表面制作多种复杂的微细结构。相比其他方法,本文研究的湿法腐蚀工艺,仅需单步光刻和两步湿法腐蚀就能够制作出表面形态良好、微细结构较为复杂的衍射器件。具有方法简便,易于控制及成本较低等特点。本文采用湿法腐蚀工艺,设计和制作红外、太赫兹波段的振幅调制衍射光学元件。在红外波段选取中红外(3-5微米)和远红
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湿法腐蚀工艺是制作衍射微光学元件的一个重要方法。该方法基于硅的特定晶向特性,利用微电子加工工艺在硅基片表面制作多种复杂的微细结构。相比其他方法,本文研究的湿法腐蚀工艺,仅需单步光刻和两步湿法腐蚀就能够制作出表面形态良好、微细结构较为复杂的衍射器件。具有方法简便,易于控制及成本较低等特点。本文采用湿法腐蚀工艺,设计和制作红外、太赫兹波段的振幅调制衍射光学元件。在红外波段选取中红外(3-5微米)和远红外(8-14微米),在太赫兹波段选取118.83微米、122.4微米和158.51微米这三个波长
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