目的建立星形胶质细胞与脑微血管内皮细胞共培养模型,研究星形胶质细胞源性VEGF对脑微血管内皮细胞的影响。方法(1)分离纯化Wistar大鼠大脑皮质星形胶质细胞(astrocyte, Ast)和脑微血管内皮细胞(brain microvascular endothelial cell, BMEC)。GFAP抗体免疫荧光和第八因子相关抗原(ⅧF-Ag)免疫荧光分别鉴定。(2)纯化的星形胶质细胞置于缺氧环境培养30min后复氧,RT-PCR检测星形胶质细胞中VEGFmRNA的表达,并与正常培养的星形胶质细胞作对照。(3)利用Transwell建立体外星形胶质细胞、脑微血管内皮细胞共培养模型,观察星形胶质细胞源性VEGF对脑微血管内皮细胞迁移及LDH漏出率的影响。结果(1)获得了纯度分别是95%、90%的星形胶质细胞和脑微血管内皮细胞,符合实验要求。(2)正常培养的脑皮质星形胶质细胞有VEGF表达,但表达率较低。(3)缺氧／复氧后VEGFmRNA的表达增强,呈时间依赖性,8h达高峰,与对照组相比有显著差别(P<0.01),随后逐渐降低。(4)星形胶质细胞源性VEGF可促使脑微血管内皮细胞发生迁移并增加其LDH的漏出率,此作用可被sFlt终止。结论慢性缺血性脑血管疾病常会伴随着血管新生,并受血管内皮生长因子(V ascular endothelial growth factor VEGF)调节。我们的研究显示：缺氧可明显诱导脑皮质星形胶质细胞表达VEGF。由于星形胶质细胞在神经元和脑微血管内皮细胞之间起着桥梁作用,一方面星形胶质细胞可通过足突作用于脑微血管内皮细胞上的VEGF受体,使脑微血管内皮细胞增生、迁移,微血管数量增加；另一方面,星形胶质细胞可将VEGF释放到细胞外间隙,直接作用于神经元,发挥神经营养因子作用。同时,我们的结果也显示VEGF能够增加脑微血管内皮细胞的LDH的漏出率,提示VEGF可增强微血管的通透性,导致脑水肿的发生。