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纳米尺度互连结构的多物理场建模研究
【摘 要】
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基于硅CMOS技术的集成电路特征尺寸不断缩小,目前已接近可以与原子尺度相比拟的纳米级别。然而,互连线的性能会随着尺寸缩减而退化,其电阻率会随着尺寸缩小不断增加,总电容随着互连线密度变大不断增加,热稳定性和可靠性下降。业界正在开展有关新型器件和互连技术的研究,比如基于碳纳米材料的器件与互连线。本文主要针对应用新型碳纳米材料的互连线结构进行了多物理场建模研究。基于已有的理论和实验性研究结果,本文主要为
【出 处】
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上海交通大学
【发表日期】
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2020年01期
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